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Nuevo poder más elevado GaN Amplifier con la gama ancha de la banda de frecuencia anunciada por Pasternack
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Pasternack pone en marcha el poder más elevado GaN Amplifier en 100W saturó salida en 0,7 a 2,7 gigahertz de la gama
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El nuevo amplificador de GaN del poder más elevado de Pasternack RF con la gama ancha de la banda de frecuencia anunció. Este nuevo amplificador de GaN del poder más elevado para el RF se puede utilizar a través de una amplia gama de usos. Usos de la radiofrecuencia para este amplificador de potencia de estado sólido del nuevo nitruro del galio incluyendo la guerra electrónica, radar, comunicaciones, y prueba y medida.
El poder más elevado GaN RF amperio de PE15A5033F genera de potencia de salida saturada típico 100W sobre una gama de frecuencia amplia que cubra 0,7 a 2,7 gigahertz. Este diseño del amplificador de la clase A/AB es incondicional estable y utiliza la tecnología muy eficiente de GaN para el funcionamiento linear superior. El amplificador de potencia coaxial del RF GaN apoya una variedad de formatos de la señal de entrada incluyendo el CW, la est, FM, el P.M., y el pulso con la eficacia añadida poder (PAE) del 30% típico.
Las características adicionales del rendimiento clave de este amplificador de potencia de la microonda del RF del poder más elevado incluyen aumento de señal mínimo del DB 45 pequeño, +/- llanura típica @ Psat del aumento del DB 1,5 y un nivel armónico impresionante de la supresión del dBc -20 típico. Para asegurar a la gestión termal altamente confiable, el módulo de GaN SSPA incorpora un disipador de calor y a un ventilador que mantenga una temperatura óptima de la placa de base de 0°C a +50°C, con capacidad del cierre automático en 85°C. El montaje de estado sólido del paquete del amplificador de potencia de GaN apoya conectores SMA-femeninos del RF en los puertos de entrada y de salida y un conector D-sub con las funciones de control que incluyen +30 VDC de prejuicio, la supervisión actual y el esconder de la lógica de TTL. Otra ventaja primaria de este amplificador de estado sólido de GaN RF es su plataforma rugosa del diseño capaz de soportar condiciones ambientales duras incluyendo humedad, altitud, choque y la vibración.