ROHM y BASiC Semiconductor forman una asociación estratégica

Contribuir a la innovación técnica de vehículos de nueva energía a través del desarrollo de dispositivos de potencia de SiC para automóviles

Shenzhen BASiC Semiconductor y ROHM han firmado un acuerdo de asociación estratégica sobre dispositivos de potencia de SiC para aplicaciones automotrices. Se llevó a cabo una ceremonia de firma en la sede de ROHM en Kioto para conmemorar la ocasión.

En virtud de este acuerdo, las dos empresas aprovecharán sus respectivas fortalezas para innovar y mejorar el rendimiento de los dispositivos de potencia de SiC y desarrollar soluciones de SiC de mayor rendimiento, más eficientes y confiables para vehículos de nueva energía.

El primer paso implica el suministro de módulos de potencia a bordo que aprovechan las tecnologías combinadas a varios de los principales fabricantes de automóviles para su uso en trenes de potencia de vehículos eléctricos. Y en el futuro, tanto ROHM como BASiC Semiconductor contribuirán a la innovación tecnológica en el sector automotriz al acelerar el desarrollo de soluciones de energía innovadoras centradas en SiC.