Nuevo sistema de medida de effecto hall - Linseis L79/HCS

El nuevo sistema de medida de effecto hall de L79/HCS de Linseis permite la caracterización de los dispositivos de semiconductor. Los materiales incluyendo Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, INP, GaN (el tipo de N y el tipo de P pueden ser medidos), metal acodan, los óxidos, se pueden medir fácilmente. Las medidas de L79/HCS:

- Concentración de portador

- Resisitivity

- Movilidad

- Conductividad

- Cociente horizontal/vertical de la alfa (de la resistencia)

- Coeficiente de pasillo

- Megnetoresistance

Las ofertas de escritorio rugosas de la disposición:

- Diversos sostenedores de la muestra para las varias geometrías

- Una baja temperatura opcional (LN2) a la versión 250°C

- Una versión da alta temperatura hasta 700°C

- Medida en casi cada clase de atmósfera (nitrógeno, oxígeno, helio, argón, vacío)

- Diversos imanes permanentes y eléctricos proporcionan campos magnéticos fijos o variables hasta varios tessla.

- El software basado en Windows comprensivo proporciona el diagrama de IV y del I-R.