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Control de la composición de la capa de óxido en la formación de cristales superconductores
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El analizador CGA351 de Panametrics se utilizó para controlar el flujo de oxígeno de una botella
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Aplicación
El control de la capa de óxido es fundamental para la fabricación de materiales superconductores. La investigación ha demostrado que es necesario un control preciso del contenido de oxígeno para conseguir las propiedades deseadas en los materiales.
Antecedentes
Un recinto con una cubierta transparente contiene materiales que se van a cristalizar y convertir en superconductores. La velocidad de desarrollo y la pureza de los cristales dependen de la temperatura y la cantidad de oxígeno en el sistema. En la puesta en marcha, el sistema se purga con argón. Cuando la temperatura se acerca al punto de consigna, se añade oxígeno para que la atmósfera contenga una concentración del 2% de oxígeno en argón.
Una universidad ayudó a desarrollar superconductores para la industria energética. Era necesario controlar la cantidad de oxígeno para el correcto desarrollo de los cristales. Se necesitaba un monitor de oxígeno para controlar con precisión la concentración de oxígeno. Anteriormente, la oxidación se controlaba mediante la supervisión visual de los cristales.
Instalación
Se instaló el analizador CGA351 y se utilizó la salida de 4 - 20 mA para controlar el flujo de oxígeno de una botella con el fin de mantener el nivel al 2% en volumen.
Ventajas
Tras una demostración, se seleccionó un analizador de oxígeno basado en óxido de circonio por su rápida respuesta, bajo volumen de muestra, precio atractivo y fácil instalación. La rápida respuesta de este analizador era muy importante debido a la naturaleza de la reacción. El bajo volumen de muestra es crítico debido al pequeño volumen dentro de la cámara de reacción.
Equipo
Se utilizó un analizador de oxígeno Panametrics CGA 351 Zirconia.
Especificaciones:
- Aplicación: 0% - 21% de oxígeno en argón (normalmente 2% de oxígeno)
- Presión: atmosférica en el punto de muestreo en el recinto purgado
- Temperatura: ambiente en el punto de muestreo del recinto purgado