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Los semiconductores de la energía del nitruro del galio tienen enfriamiento de la superestructura

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GaN Systems Inc. anunció tecnología de enfriamiento de la nueva superestructura en su amplia gama de los dispositivos de alta potencia del realce-modo

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El enfriamiento de la superestructura permite a ingenieros utilizar técnicas de enfriamiento convencionales, bien-entendidas del PWB al incorporar los semiconductores mercado-principales de los sistemas de GaN en sus últimos diseños para los productos tales como inversores, la UPS, los vehículos eléctricos híbridos/los vehículos eléctricos, la conversión de alto voltaje de DC-DC y productos de consumo tales como TV.

Los transistores de energía del nitruro del galio de los sistemas de GaN se basan en su isla propietaria Technology® - el dado consiste en las islas algo que mueren los dedos tradicionales, que trae ventajas significativas en términos de mejor dirección actual, inductancia más baja, escalamiento, aislamiento y gerencia termal, así como la permisión más pequeña y la baja de coste. Los dispositivos del realce-modo de los sistemas de GaN con los grados actuales que se extienden de 8A a 250A se entregan en su empaquetado propietario de GaNPX: el dado se encaja dentro de una construcción laminada y una serie de procesos galvánicos substituye técnicas convencionales tales como clips, enlaces del alambre y compuestos que moldean. Estos transistores de conmutación cercanos-chipscale del poder más elevado ahora se empaquetan para ser refrescados vía la superestructura de la viruta usando un disipador de calor o un ventilador - las técnicas convencionales bien-se entienden que y del familiar a los ingenieros de diseño que pueden ser desconocedores con usar los dispositivos de GaN o usarlos por primera vez.

Los transistores de GaN se pueden también refrescar del fondo del dado con la conducción al PWB.