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Los MOSFETs del canal N 40/60 V reducen pérdidas a la eficacia del aumento.

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EN el semiconductor introduce un arsenal comprensivo de nuevos MOSFETs medios del canal N del voltaje

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Optimizado para reducir apagones de la conmutación, de la conducción y del conductor para alzar eficacia

PCIM - Nuremberg, Alemania. ¿? EN el semiconductor (Nasdaq: EN), la conducción de innovaciones del rendimiento energético, ha ampliado más lejos su lista amplia de los MOSFETs de la energía con los solos dispositivos del canal N de la nueva, alta eficacia apuntados en el establecimiento de una red de datos, las telecomunicaciones y los usos industriales.

Estos dispositivos son capaces de la entrega increíblemente bajo en resistencia del estado, el RDS (encendido), los valores, las pérdidas de tal modo de reducción al mínimo de la conducción y la mejora de niveles operacionales totales de la eficacia. También tienen capacitancia muy baja de la puerta (CISS) - abajo a 2164 picofaradios (picofaradio) - que se asegure que las pérdidas mantengan del conductor tan bajo como sea posible.

¿Con un voltaje de avería clasificado de 40 voltios de (v), la compañía? s los nuevos MOSFETs de NTMFS5C404NLT, de NTMFS5C410NLT y de NTMFS5C442NLT tiene valores del RDS del máximo (encendido) (@ Vgs = 10 V) de 0.74 miliohmios (m?)¿, 0.9 m? ¿y 2.8 m? respectivamente, con las corrientes continuas del dren de 352 amperios de (a), 315 A y 127 A respectivamente. Éstos son complementados por los NTMFS5C604NL, los NTMFS5C612NL y los NTMFS5C646NL, que tienen grados del voltaje de avería de 60 V. ¿El máximo RDS (encendido) de estos dispositivos es 1.2 m? ¿, 1.5 m? ¿y 4.7 m? respectivamente, mientras que sus corrientes continuas asociadas del dren son 287 A, 235 A y 93 A. Los 40 V y 60 dispositivos de V se clasifican para funcionar en las temperaturas de ensambladura hasta el °C 175, de tal modo dando a ingenieros mayor espacio libre termal para sus diseños. EN el semiconductor ampliará esto que ofrece con los dispositivos que ofrecen valores adicionales del RDS (encendido) y diversos paquetes, tales como micro8FL, DPAK y TO220.

¿? ¿Los equipos de la ingeniería en los OEM se están esforzando constantemente crear los diseños del sistema eléctrico que son capaces de lograr grados más altos de eficacia mientras que simultáneamente toman menos espacio del tablero? ¿Paul dicho Leonard, vice presidente y director general para EN el semiconductor? productos discretos de la energía de s. ¿? ¿Con estas nuevas adiciones a nuestro MOSFET extenso de la energía que ofrece, estamos proveyendo de clientes los dispositivos del alto rendimiento, en los paquetes eficientes del acuerdo termalmente, que les ayudarán para alcanzar esta meta.?

Empaquetado y tasación

Los NTMFS5C404NL, los NTMFS5C410NL, los NTMFS5C442NL NTMFS5C604NL, los NTMFS5C612NL y los NTMFS5C646NL todos se ofrecen en el acuerdo, paquetes de la RoHS-queja SO8FL (DFN-8) con la tasación que comienza en $0.42 por unidad en 10.000 cantidades de unidad.

EN el semiconductor y PRENDIDO el semiconductor la insignia está las marcas registradas de las industrias de los componentes del semiconductor, LLC. El resto de los nombres de la marca de fábrica y de producto que aparecen en este documento son marcas registradas o marcas registradas de sus sostenedores respectivos. Aunque la compañía se refiera a su Web site a esta nota de prensa, tal información sobre el Web site no debe ser incorporada adjunto.