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Los diodos SiC Schottky de 650 V ofrecen opciones de paquetes

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Prometiendo mejorar la eficiencia, confiabilidad y manejo térmico en aplicaciones de electrónica de potencia, Littelfuse agrega dos diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) calificados AEC-Q101 de 650V a su portafolio de potencia.

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ofrecen una variedad de ventajas de rendimiento en comparación con los dispositivos tradicionales basados en silicio, incluyendo una corriente de recuperación inversa insignificante, alta capacidad de sobretensión y una temperatura máxima de unión operativa de 175°C. Esto los hace viables para aplicaciones en las que se desea mejorar la eficiencia, la fiabilidad y la gestión térmica.

El diodo Schottky de la serie LSIC2SD065DxxA está disponible con valores de corriente de 6A, 10A o 16A en un paquete de TO-263-2L y el diodo Schottky de la serie LSIC2SD065ExxCCA está disponible con valores de corriente de 12A, 16A, 20A o 40A en un paquete de TO-247-3L. Las aplicaciones típicas para los nuevos diodos SiC Schottky de 650V incluyen:

Estaciones de carga para vehículos eléctricos (EV)

Etapas de Buck/boost en convertidores DC-DC

Diodos de rueda libre en etapas de inversor

Rectificación de salida de alta frecuencia

Corrección del factor de potencia (PFC)

Los diodos Schottky de la serie LSIC2SD065DxxA están disponibles en envases de TO-263-2L y los diodos Schottky de la serie LSIC2SD065ExxCCA están disponibles en envases de TO-247-3L. Tanto en formato cinta como en bobina, con un pedido mínimo de 800 dispositivos.