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#Tendencias de productos
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Avance tecnológico de ROHM en el marcaje de la tensión soportada por la puerta de 8V para HEMT de GaN de 150V
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Resolver el problema de la tensión de ruptura de la puerta de los dispositivos de GaN contribuye a un menor consumo de energía y a una mayor miniaturización de las fuentes de alimentación para estaciones base y centros de datos
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