ROHM y BASiC Semiconductor forman una asociación estratégica

Contribuir a la innovación técnica de los vehículos de nueva energía mediante el desarrollo de dispositivos de potencia SiC para automoción

Shenzhen BASiC Semiconductor y ROHM han firmado un acuerdo de asociación estratégica sobre dispositivos de potencia de SiC para aplicaciones de automoción. Para conmemorar la ocasión, se celebró una ceremonia de firma en la sede de ROHM en Kioto.

En virtud de este acuerdo, las dos empresas aprovecharán sus respectivos puntos fuertes para innovar y mejorar el rendimiento de los dispositivos de potencia de SiC y desarrollar soluciones de SiC de mayor rendimiento, más eficientes y fiables para vehículos de nueva energía.