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Conocimientos básicos de IGBT
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Parámetros estáticos del IGBT
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Los parámetros estáticos del IGBT se refieren principalmente a los parámetros relevantes que son inherentes al propio IGBT y no tienen nada que ver con sus condiciones de trabajo. Sólo cuando no hay ningún problema con los parámetros estáticos del IGBT se pueden comprobar los parámetros dinámicos (tiempo de conmutación, pérdida de conmutación, recuperación inversa del diodo en vacío), el ciclo de potencia , la fiabilidad del HTRB.
A continuación, veamos el significado de los indicadores de estos diez parámetros:
1. Tensión colector-emisor VCES
Bajo la condición de cortocircuito puerta-emisor, la tensión máxima que puede soportar entre colector y emisor
2. Tensión de saturación colector-emisor VCEsat
Bajo la tensión de puerta y la corriente de colector especificadas, la tensión entre colector y emisor
3. Tensión umbral puerta-emisor VGE
Cuando la corriente de puerta es el valor especificado, la tensión puerta-emisor
4. Tensión umbral de puerta VGE (th)
La tensión puerta-emisor a la que la corriente de colector se encuentra en un valor bajo o absoluto especificado, se utiliza para medir el umbral de encendido de la puerta del IGBT
5. Corriente de corte colector-emisor ICES
Corriente que circula por el colector a una tensión colector-emisor y un cortocircuito puerta-emisor especificados
6. Corriente de fuga puerta-emisor IGES
Corriente que circula por la puerta con una tensión puerta-emisor y un cortocircuito colector-emisor especificados
7. Resistencia de puerta rg
Resistencia en serie interna de la puerta
8. Capacitancia de salida Coes
Capacitancia parásita medida entre colector y emisor con cortocircuito puerta-emisor
9. Capacidad de entrada Cies
Capacidad parásita entre la puerta y el emisor
10. Capacidad de transmisión inversa Cres
Capacitancia entre el terminal de colector y el terminal de puerta
Los elementos de prueba de los parámetros estáticos del IGBT son numerosos y complicados, y los diferentes parámetros tienen diferentes métodos de prueba.