Tecnología de deposición por pulverización de magnetrón

Deposición por pulverización de PVD

Qué es la deposición por pulverización al vacío

1. La deposición por pulverización es la deposición de partículas vaporizadas de una superficie, que se denomina "objetivo de pulverización", por el proceso físico de pulverización.

2. El bombardeo físico es un proceso de vaporización no térmico en el que los átomos de la superficie son expulsados físicamente por la transferencia de momento de una partícula de bombardeo energético, que suele ser un ión gaseoso acelerado por un plasma.

3. La deposición por pulverización puede realizarse en vacío o en gas a baja presión (< 5 m Torr) donde las partículas pulverizadas no sufren colisiones en fase gaseosa en el espacio entre el objetivo y el sustrato o en una presión de gas más alta (5- 30 m Torr) donde las partículas energéticas pulverizadas o reflejadas desde el objetivo de pulverización son "termalizadas" por colisiones en fase gaseosa antes de que alcancen la superficie del sustrato.

Ventajas de la deposición de Sputter

1. Los elementos, aleaciones y compuestos pueden ser pulverizados y depositados.

2. El objetivo de bombardeo proporciona una fuente de vaporización estable y de larga vida.

3. En algunas configuraciones, el objetivo de pulverización proporciona una fuente de vaporización de gran área que puede tener cualquier forma.

4. En algunas configuraciones, la fuente de bombardeo puede ser una forma definida, como una línea o segmento de un cono.

5. En algunas configuraciones, la deposición reactiva puede realizarse fácilmente utilizando especies gaseosas reactivas que se "activan" en un plasma ("deposición reactiva por pulverización")

Desventajas de la deposición de Sputter

1. Las velocidades de pulverización son bajas comparadas con las que se pueden alcanzar en la evaporación térmica.

2. Las propiedades de la película dependen del "ángulo de incidencia" del flujo del material depositado y, a bajas presiones, de la cantidad de bombardeo de los neutrales de alta energía reflejados desde el objetivo de bombardeo.

3. En muchas configuraciones la distribución del flujo de deposición no es uniforme, requiriendo que la fijación aleatorice la posición de los sustratos para obtener películas de espesor y propiedades uniformes.

4. Los objetivos de Sputtering son a menudo caros, y la utilización del material puede ser deficiente.

5. En algunas configuraciones, la contaminación gaseosa no se elimina fácilmente del sistema, y las contaminaciones gaseosas se "activan" en el plasma, lo que hace que la contaminación de la película sea más problemática que en la evaporación al vacío.

6. En algunas configuraciones, la radiación y el bombardeo del plasma o del objetivo de bombardeo pueden degradar el sustrato.

7. La deposición por pulverización se utiliza ampliamente para depositar metalización de capa fina en materiales semiconductores, recubrimientos en vidrio arquitectónico, recubrimientos reflectantes en discos compactos, películas magnéticas, lubricantes de capa seca y recubrimientos decorativos.

Métodos de pulverización

DC Sputtering/MFSputtering

Salpicadura de equilibrio/salpicadura sin equilibrio

Sistema de recubrimiento por pulverización

Aplicadores por lotes y sistema de recubrimiento por pulverización en línea para recubrimientos de baja emisión e ITO en vidrio, películas de PET, etc.

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